Triode/MOS tube/transistor/module
VBsemi (Wei Bi)
Mga tagagawa
VBsemi (Wei Bi)
Mga tagagawa
LRC (Leshan Radio)
Mga tagagawa
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA, hfe=80~150
Paglalarawan
ST (STMicroelectronics)
Mga tagagawa
ST (STMicroelectronics)
Mga tagagawa
Infineon (Infineon)
Mga tagagawa
ElecSuper (Jingxin Micro)
Mga tagagawa
PJSEMI (flat crystal micro)
Mga tagagawa
Drain-source voltage (Vdss): 100V, continuous drain current (Id) (at 25°C): 0.17A, gate-source threshold voltage: 1~3V@250uA, drain-source on-resistance: 3.8Ω@Vgs=0.17 A, 4.5V, maximum power dissipation (Ta=25°C): 0.9W, type: N-channel
Paglalarawan
APM (Jonway Microelectronics)
Mga tagagawa
TOSHIBA (Toshiba)
Mga tagagawa
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Mga tagagawa
VBsemi (Wei Bi)
Mga tagagawa
onsemi (Ansemi)
Mga tagagawa
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifier and switching applications. TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C (NPN); and TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C (PNP) are complementary devices
Paglalarawan
AGM-Semi (core control source)
Mga tagagawa
Convert Semiconductor
Mga tagagawa
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Mga tagagawa
P-channel, -30V, -4.1A, 60 milliohms.
Paglalarawan
onsemi (Ansemi)
Mga tagagawa
This is an 8.0 V P-channel power MOSFET.
Paglalarawan