Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
EPC8010
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Numero ng Bahagi
EPC8010
Manufacturer/Brand
Serye
eGaN®
Katayuan ng Bahagi
Active
Packaging
Cut Tape (CT)
Teknolohiya
GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount
Surface Mount
Package / Case
Die
Package ng Supplier ng Device
Die
Power Dissipation (Max)
-
Uri ng FET
N-Channel
Tampok ng FET
-
Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)
100V
Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C
2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.48nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
55pF @ 50V
Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Humiling ng Quote
Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.
Sa Stock 50825 PCS
Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan
Mga Kaugnay na Produkto
Mga keyword ng EPC8010
EPC8010 Mga elektronikong bahagi
EPC8010 Benta
EPC8010 Supplier
EPC8010 Distributor
EPC8010 Talahanayan ng data
EPC8010 Mga larawan
EPC8010 Presyo
EPC8010 Alok
EPC8010 Pinakamababang presyo
EPC8010 Maghanap
EPC8010 Pagbili
EPC8010 Chip