Bumili ng Global Power Technologies Group GP1M010A080N MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

GP1M010A080N

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Numero ng Bahagi

GP1M010A080N

Manufacturer/Brand

Global Power Technologies Group

Serye

Katayuan ng Bahagi

Obsolete

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Through Hole

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

Package ng Supplier ng Device

TO-3PN

Power Dissipation (Max)

312W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

900V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2336pF @ 25V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 53973 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan