Bumili ng Infineon Technologies BSO615CGHUMA1 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

DataSheets

BSO615CGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Numero ng Bahagi

BSO615CGHUMA1

Manufacturer/Brand

Infineon Technologies

Serye

SIPMOS®

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Digi-Reel®

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Power - Max

Package ng Supplier ng Device

PG-DSO-8

Uri ng FET

N and P-Channel

Tampok ng FET

Logic Level Gate

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

60V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

3.1A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 30867 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan