Bumili ng Infineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1 MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Numero ng Bahagi

IPB017N10N5LFATMA1

Manufacturer/Brand

Infineon Technologies

Serye

OptiMOS™-5

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Package ng Supplier ng Device

PG-TO263-7

Power Dissipation (Max)

313W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

100V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.1V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 50V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 30678 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan