Bumili ng Infineon Technologies IPG20N06S4L26ATMA1 MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

IPG20N06S4L26ATMA1

MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

Numero ng Bahagi

IPG20N06S4L26ATMA1

Manufacturer/Brand

Infineon Technologies

Serye

OptiMOS™

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Operating Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

8-PowerVDFN

Power - Max

33W

Package ng Supplier ng Device

PG-TDSON-8-4

Uri ng FET

2 N-Channel (Dual)

Tampok ng FET

Logic Level Gate

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

60V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1430pF @ 25V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 8634 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan