Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
IXFN30N110P
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Numero ng Bahagi
IXFN30N110P
Manufacturer/Brand
Serye
Polar™
Katayuan ng Bahagi
Active
Packaging
Tube
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount
Chassis Mount
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Package ng Supplier ng Device
SOT-227B
Power Dissipation (Max)
695W (Tc)
Uri ng FET
N-Channel
Tampok ng FET
-
Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)
1100V
Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 25V
Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Humiling ng Quote
Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.
Sa Stock 40792 PCS
Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan
Mga Kaugnay na Produkto
Mga keyword ng IXFN30N110P
IXFN30N110P Mga elektronikong bahagi
IXFN30N110P Benta
IXFN30N110P Supplier
IXFN30N110P Distributor
IXFN30N110P Talahanayan ng data
IXFN30N110P Mga larawan
IXFN30N110P Presyo
IXFN30N110P Alok
IXFN30N110P Pinakamababang presyo
IXFN30N110P Maghanap
IXFN30N110P Pagbili
IXFN30N110P Chip