Bumili ng Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G IGBT 1200V 69A 417W TO247

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

APT25GP120BDQ1G

IGBT 1200V 69A 417W TO247

Numero ng Bahagi

APT25GP120BDQ1G

Manufacturer/Brand

Microsemi Corporation

Serye

POWER MOS 7®

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Tube

Uri ng Input

Standard

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Power - Max

417W

Package ng Supplier ng Device

TO-247 [B]

Baliktad na Oras ng Pagbawi (trr)

Kasalukuyan - Kolektor (Ic) (Max)

69A

Boltahe - Pagkasira ng Collector Emitter (Max)

1200V

Uri ng IGBT

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Kasalukuyan - Collector Pulsed (Icm)

90A

Pagpapalit ng Enerhiya

500µJ (on), 440µJ (off)

Gate Charge

110nC

Td (on/off) @ 25�C

12ns/70ns

Kondisyon ng Pagsubok

600V, 25A, 5 Ohm, 15V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 45063 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan