Bumili ng Rohm Semiconductor RQ3E130MNTB1 MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

DataSheets

RQ3E130MNTB1

MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Numero ng Bahagi

RQ3E130MNTB1

Manufacturer/Brand

Rohm Semiconductor

Serye

Katayuan ng Bahagi

Not For New Designs

Packaging

Digi-Reel®

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

8-PowerVDFN

Package ng Supplier ng Device

8-HSMT (3.2x3)

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

30V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

13A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.1 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 15V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 15353 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan

Mga Kaugnay na Produkto

RQ3E070BNTB

MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8