Bumili ng Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR RLG MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

DataSheets

TSM130NB06LCR RLG

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Numero ng Bahagi

TSM130NB06LCR RLG

Manufacturer/Brand

Taiwan Semiconductor Corporation

Serye

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

8-PowerLDFN

Package ng Supplier ng Device

8-PDFN (5x6)

Power Dissipation (Max)

3.1W (Ta), 83W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

60V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

10A (Ta), 51A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2175pF @ 30V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 13689 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan