Bumili ng Taiwan Semiconductor Corporation TSM160N10LCR RLG MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

DataSheets

TSM160N10LCR RLG

MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN

Numero ng Bahagi

TSM160N10LCR RLG

Manufacturer/Brand

Taiwan Semiconductor Corporation

Serye

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Digi-Reel®

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

8-PowerTDFN

Package ng Supplier ng Device

8-PDFN (5x6)

Power Dissipation (Max)

83W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

100V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

46A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4431pF @ 50V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 52273 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan