Bumili ng Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

TK11A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

Numero ng Bahagi

TK11A60D(STA4,Q,M)

Manufacturer/Brand

Toshiba Semiconductor and Storage

Serye

π-MOSVII

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Tube

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Through Hole

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Package ng Supplier ng Device

TO-220SIS

Power Dissipation (Max)

45W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

600V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

11A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 25V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 22034 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan