Bumili ng Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

TK31V60X,LQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Numero ng Bahagi

TK31V60X,LQ

Manufacturer/Brand

Toshiba Semiconductor and Storage

Serye

DTMOSIV-H

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

4-VSFN Exposed Pad

Package ng Supplier ng Device

4-DFN-EP (8x8)

Power Dissipation (Max)

240W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Super Junction

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

600V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

30.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98 mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 300V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa chen_hx1688@hotmail.com, tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 16054 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan