Bumili ng Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH,L1Q MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

DataSheets

TPN14006NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Numero ng Bahagi

TPN14006NH,L1Q

Manufacturer/Brand

Toshiba Semiconductor and Storage

Serye

U-MOSVIII-H

Katayuan ng Bahagi

Discontinued at Digi-Key

Packaging

Digi-Reel®

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

8-PowerVDFN

Package ng Supplier ng Device

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Power Dissipation (Max)

700mW (Ta), 30W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

60V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

13A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 30V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

6.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 11088 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan