Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
SI1427EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
Numero ng Bahagi
SI1427EDH-T1-GE3
Manufacturer/Brand
Serye
TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi
Active
Packaging
Cut Tape (CT)
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package ng Supplier ng Device
SC-70-6 (SOT-363)
Power Dissipation (Max)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Uri ng FET
P-Channel
Tampok ng FET
-
Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)
20V
Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Humiling ng Quote
Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.
Sa Stock 27659 PCS
Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan
Mga Kaugnay na Produkto
Mga keyword ng SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3 Mga elektronikong bahagi
SI1427EDH-T1-GE3 Benta
SI1427EDH-T1-GE3 Supplier
SI1427EDH-T1-GE3 Distributor
SI1427EDH-T1-GE3 Talahanayan ng data
SI1427EDH-T1-GE3 Mga larawan
SI1427EDH-T1-GE3 Presyo
SI1427EDH-T1-GE3 Alok
SI1427EDH-T1-GE3 Pinakamababang presyo
SI1427EDH-T1-GE3 Maghanap
SI1427EDH-T1-GE3 Pagbili
SI1427EDH-T1-GE3 Chip