Bumili ng Vishay Siliconix SI2309DS-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

SI2309DS-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Numero ng Bahagi

SI2309DS-T1-E3

Manufacturer/Brand

Vishay Siliconix

Serye

TrenchFET®

Katayuan ng Bahagi

Obsolete

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package ng Supplier ng Device

SOT-23-3 (TO-236)

Power Dissipation (Max)

1.25W (Ta)

Uri ng FET

P-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

60V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340 mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 51862 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan