Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Numero ng Bahagi
SI2309DS-T1-E3
Manufacturer/Brand
Serye
TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi
Obsolete
Packaging
Tape & Reel (TR)
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package ng Supplier ng Device
SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta)
Uri ng FET
P-Channel
Tampok ng FET
-
Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)
60V
Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Humiling ng Quote
Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.
Sa Stock 51862 PCS
Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan
Mga keyword ng SI2309DS-T1-E3
SI2309DS-T1-E3 Mga elektronikong bahagi
SI2309DS-T1-E3 Benta
SI2309DS-T1-E3 Supplier
SI2309DS-T1-E3 Distributor
SI2309DS-T1-E3 Talahanayan ng data
SI2309DS-T1-E3 Mga larawan
SI2309DS-T1-E3 Presyo
SI2309DS-T1-E3 Alok
SI2309DS-T1-E3 Pinakamababang presyo
SI2309DS-T1-E3 Maghanap
SI2309DS-T1-E3 Pagbili
SI2309DS-T1-E3 Chip