Bumili ng Vishay Siliconix SI3443DDV-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

DataSheets

SI3443DDV-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

Numero ng Bahagi

SI3443DDV-T1-GE3

Manufacturer/Brand

Vishay Siliconix

Serye

TrenchFET®

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package ng Supplier ng Device

6-TSOP

Power Dissipation (Max)

1.7W (Ta), 2.7W (Tc)

Uri ng FET

P-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

20V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

4A (Ta), 5.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47 mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 10V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 38164 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan

Mga Kaugnay na Produkto

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN