Bumili ng Vishay Siliconix SI4160DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

SI4160DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Numero ng Bahagi

SI4160DY-T1-GE3

Manufacturer/Brand

Vishay Siliconix

Serye

TrenchFET®

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package ng Supplier ng Device

8-SO

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

30V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

25.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2071pF @ 15V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa chen_hx1688@hotmail.com, tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 44406 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan

Mga Kaugnay na Produkto

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC