Bumili ng Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

DataSheets

SI4936BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Numero ng Bahagi

SI4936BDY-T1-GE3

Manufacturer/Brand

Vishay Siliconix

Serye

TrenchFET®

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Digi-Reel®

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Power - Max

2.8W

Package ng Supplier ng Device

8-SO

Uri ng FET

2 N-Channel (Dual)

Tampok ng FET

Logic Level Gate

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

30V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

6.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 15V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 52144 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan

Mga Kaugnay na Produkto

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC