Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
Numero ng Bahagi
SI7794DP-T1-GE3
Manufacturer/Brand
Serye
SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Katayuan ng Bahagi
Last Time Buy
Packaging
-
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Package ng Supplier ng Device
PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max)
5W (Ta), 48W (Tc)
Uri ng FET
N-Channel
Tampok ng FET
Schottky Diode (Body)
Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)
30V
Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C
28.6A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.52nF @ 15V
Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Humiling ng Quote
Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.
Sa Stock 9907 PCS
Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan
Mga keyword ng SI7794DP-T1-GE3
SI7794DP-T1-GE3 Mga elektronikong bahagi
SI7794DP-T1-GE3 Benta
SI7794DP-T1-GE3 Supplier
SI7794DP-T1-GE3 Distributor
SI7794DP-T1-GE3 Talahanayan ng data
SI7794DP-T1-GE3 Mga larawan
SI7794DP-T1-GE3 Presyo
SI7794DP-T1-GE3 Alok
SI7794DP-T1-GE3 Pinakamababang presyo
SI7794DP-T1-GE3 Maghanap
SI7794DP-T1-GE3 Pagbili
SI7794DP-T1-GE3 Chip