Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
SI8467DB-T2-E1

SI8467DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Numero ng Bahagi
SI8467DB-T2-E1
Manufacturer/Brand
Serye
TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi
Obsolete
Packaging
Cut Tape (CT)
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount
Surface Mount
Package / Case
4-XFBGA, CSPBGA
Package ng Supplier ng Device
4-Microfoot
Power Dissipation (Max)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Uri ng FET
P-Channel
Tampok ng FET
-
Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)
20V
Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 10V
Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Humiling ng Quote
Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.
Sa Stock 47232 PCS
Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan
Mga keyword ng SI8467DB-T2-E1
SI8467DB-T2-E1 Mga elektronikong bahagi
SI8467DB-T2-E1 Benta
SI8467DB-T2-E1 Supplier
SI8467DB-T2-E1 Distributor
SI8467DB-T2-E1 Talahanayan ng data
SI8467DB-T2-E1 Mga larawan
SI8467DB-T2-E1 Presyo
SI8467DB-T2-E1 Alok
SI8467DB-T2-E1 Pinakamababang presyo
SI8467DB-T2-E1 Maghanap
SI8467DB-T2-E1 Pagbili
SI8467DB-T2-E1 Chip