Bumili ng Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Numero ng Bahagi

SIA413DJ-T1-GE3

Manufacturer/Brand

Vishay Siliconix

Serye

TrenchFET®

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

PowerPAK® SC-70-6

Package ng Supplier ng Device

PowerPAK® SC-70-6 Single

Power Dissipation (Max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Uri ng FET

P-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

12V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 12872 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan

Mga Kaugnay na Produkto

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70