Bumili ng Vishay Siliconix SIA421DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

DataSheets

SIA421DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Numero ng Bahagi

SIA421DJ-T1-GE3

Manufacturer/Brand

Vishay Siliconix

Serye

TrenchFET®

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Cut Tape (CT)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

PowerPAK® SC-70-6

Package ng Supplier ng Device

PowerPAK® SC-70-6 Single

Power Dissipation (Max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Uri ng FET

P-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

30V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa chen_hx1688@hotmail.com, tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 23729 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan

Mga Kaugnay na Produkto

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70