Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
SIHG33N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
Numero ng Bahagi
SIHG33N65E-GE3
Manufacturer/Brand
Katayuan ng Bahagi
Active
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Package ng Supplier ng Device
TO-247AC
Power Dissipation (Max)
313W (Tc)
Uri ng FET
N-Channel
Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)
650V
Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C
32.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
173nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4040pF @ 100V
Vgs (Max)
±30V
Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Humiling ng Quote
Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.
Sa Stock 49804 PCS
Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan
Mga Kaugnay na Produkto
Mga keyword ng SIHG33N65E-GE3
SIHG33N65E-GE3 Mga elektronikong bahagi
SIHG33N65E-GE3 Benta
SIHG33N65E-GE3 Supplier
SIHG33N65E-GE3 Distributor
SIHG33N65E-GE3 Talahanayan ng data
SIHG33N65E-GE3 Mga larawan
SIHG33N65E-GE3 Presyo
SIHG33N65E-GE3 Alok
SIHG33N65E-GE3 Pinakamababang presyo
SIHG33N65E-GE3 Maghanap
SIHG33N65E-GE3 Pagbili
SIHG33N65E-GE3 Chip