Bumili ng Vishay Siliconix SIR836DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

SIR836DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Numero ng Bahagi

SIR836DP-T1-GE3

Manufacturer/Brand

Vishay Siliconix

Serye

TrenchFET®

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

PowerPAK® SO-8

Package ng Supplier ng Device

PowerPAK® SO-8

Power Dissipation (Max)

3.9W (Ta), 15.6W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

40V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 20V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 16761 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan

Mga Kaugnay na Produkto

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8