Bumili ng Infineon Technologies IPD031N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

IPD031N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Numero ng Bahagi

IPD031N03LGATMA1

Manufacturer/Brand

Infineon Technologies

Serye

OptiMOS™

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package ng Supplier ng Device

PG-TO252-3

Power Dissipation (Max)

94W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

30V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

90A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 15V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 51629 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan