Bumili ng Infineon Technologies IPI024N06N3GHKSA1 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

IPI024N06N3GHKSA1

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Numero ng Bahagi

IPI024N06N3GHKSA1

Manufacturer/Brand

Infineon Technologies

Serye

OptiMOS™

Katayuan ng Bahagi

Obsolete

Packaging

Tube

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Through Hole

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package ng Supplier ng Device

PG-TO262-3

Power Dissipation (Max)

250W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

60V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 196µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

275nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 30V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 19493 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan