Bumili ng NXP USA Inc. PHD23NQ10T,118 MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

PHD23NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

Numero ng Bahagi

PHD23NQ10T,118

Manufacturer/Brand

NXP USA Inc.

Serye

TrenchMOS™

Katayuan ng Bahagi

Obsolete

Packaging

Tape & Reel (TR)

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package ng Supplier ng Device

DPAK

Power Dissipation (Max)

100W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

100V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1187pF @ 25V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 24506 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan