Bumili ng ON Semiconductor NDD60N360U1-1G MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

NDD60N360U1-1G

MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Numero ng Bahagi

NDD60N360U1-1G

Manufacturer/Brand

ON Semiconductor

Serye

Katayuan ng Bahagi

Obsolete

Packaging

Tube

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Through Hole

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package ng Supplier ng Device

I-PAK

Power Dissipation (Max)

114W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

600V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 50V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 37988 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan

Mga Kaugnay na Produkto

NDD60N360U1-1G

MOSFET N-CH 600V 114A IPAK