Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.
MT3S111P(TE12L,F)
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Numero ng Bahagi
MT3S111P(TE12L,F)
Manufacturer/Brand
Serye
-
Katayuan ng Bahagi
Active
Packaging
Tape & Reel (TR)
Operating Temperatura
150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount
Surface Mount
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
1W
Package ng Supplier ng Device
PW-MINI
Uri ng Transistor
NPN
Kasalukuyan - Kolektor (Ic) (Max)
100mA
Boltahe - Pagkasira ng Collector Emitter (Max)
6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Dalas - Transisyon
8GHz
Figure ng Ingay (dB Typ @ f)
1.25dB @ 1GHz
Makakuha
10.5dB
Humiling ng Quote
Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.
Sa Stock 49623 PCS
Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan
Mga Kaugnay na Produkto
Mga keyword ng MT3S111P(TE12L,F)
MT3S111P(TE12L,F) Mga elektronikong bahagi
MT3S111P(TE12L,F) Benta
MT3S111P(TE12L,F) Supplier
MT3S111P(TE12L,F) Distributor
MT3S111P(TE12L,F) Talahanayan ng data
MT3S111P(TE12L,F) Mga larawan
MT3S111P(TE12L,F) Presyo
MT3S111P(TE12L,F) Alok
MT3S111P(TE12L,F) Pinakamababang presyo
MT3S111P(TE12L,F) Maghanap
MT3S111P(TE12L,F) Pagbili
MT3S111P(TE12L,F) Chip