Bumili ng Toshiba Semiconductor and Storage TK17E65W,S1X MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

Tingnan ang Higit pang Impormasyon DataSheets

TK17E65W,S1X

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

Numero ng Bahagi

TK17E65W,S1X

Manufacturer/Brand

Toshiba Semiconductor and Storage

Serye

DTMOSIV

Katayuan ng Bahagi

Active

Packaging

Tube

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Operating Temperatura

150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Package ng Supplier ng Device

TO-220

Power Dissipation (Max)

165W (Tc)

Uri ng FET

N-Channel

Tampok ng FET

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

650V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

17.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 900µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 300V

Boltahe ng Drive (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 18117 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan