Bumili ng Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V

Tsina
Propesyonal na supplier ng electronic component

Mga katalogo Mga tagagawa CN ICs

Maaaring representasyon ang larawan.
Tingnan ang mga detalye para sa mga detalye ng produkto.

DataSheets

SIZ200DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

Numero ng Bahagi

SIZ200DT-T1-GE3

Manufacturer/Brand

Vishay Siliconix

Serye

TrenchFET® Gen IV

Katayuan ng Bahagi

Active

Operating Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag-mount

Surface Mount

Package / Case

8-PowerWDFN

Power - Max

4.3W (Ta), 33W (Tc)

Package ng Supplier ng Device

8-PowerPair® (3.3x3.3)

Uri ng FET

2 N-Channel (Dual)

Tampok ng FET

Standard

Alisan ng tubig sa Source Voltage (Vdss)

30V

Kasalukuyan - Patuloy na Drain (Id) @ 25�C

22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V, 30nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

Humiling ng Quote

Pakikumpleto ang lahat ng kinakailangang field at i-click ang "Isumite", makikipag-ugnayan kami sa iyo sa loob ng 12 oras sa pamamagitan ng email. Kung mayroon kang anumang problema, mangyaring mag-iwan ng mga mensahe o email sa [email protected], tutugon kami sa lalong madaling panahon.

Sa Stock 28650 PCS

Impormasyon sa Pakikipag-ugnayan